光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911386643.3
IPC分类号：G03F1/36;G03F7/20
申请日期：
2020-04-08
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

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专利名称	光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法
申请号	CN201911386643.3	申请日期	2020-04-08
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-12	公开/公告号	CN113495424A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/36 具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;6;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	陈术
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	徐文欣

摘要

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，提供参考版图，所述参考版图包括若干参考图形；根据所述参考版图获取图形修正数据库；提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对所述待修正版图进行分类，获取每个所述待修正图形的第一分类数据；根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据。由于在半导体制程中，对伪结构层的光学邻近修正精度要求较低，因此可以采用比对获取所述待修正图形的第一光学邻近修正数据的方法来进行修正处理，通过这种光学邻近修正流程能够有效的减少对所述待修正图形的计算时间，进而有效的提升了对所述待修正图形的修正效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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