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氧化层的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810612008.1
  • IPC分类号:H01L21/28
  • 申请日期:
    2018-06-14
  • 申请人:
    上海华力集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称氧化层的制造方法
申请号CN201810612008.1申请日期2018-06-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-11-13公开/公告号CN108807165A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人上海华力集成电路制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力集成电路制造有限公司当前权利人上海华力集成电路制造有限公司
发明人成鑫华
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人郭四华
摘要
本发明公开了一种氧化层的制造方法,包括步骤:步骤一、提供一硅片,对硅片表面进行预处理;步骤二、进行氧化层生长,包括分步骤:步骤21、进行饱压工艺,饱压气体采用惰性气体或氮气;在升温过程中,硅片表面的Si‑H键断裂并产生H2,通过饱压气体将H2吹出;步骤22、进行二氧化硅沉积工艺,在稳定的温度和气压下,氧源气体和硅反应形成二氧化硅层。本发明能提高氧化层的质量以及氧化层和硅表面的界面质量,减少氧化层和硅的界面缺陷,改善器件的闪烁噪声。

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