1.一种一氧化碳气体传感器的制备方法,包括下列步骤:
提供一具有一上表面的基板;
形成二组电极于该基板上表面;
形成一个氧化锡层,且该氧化锡层覆盖该二组电极部分与该基板上表面部分;以及形成一有机聚合物层于该氧化锡层表面;所述有机聚合物层为聚乙二醇层或丙烯酰胺层。
2.如权利要求1所述的制备方法,其中,该二组电极由网印方式形成。
3.如权利要求1所述的制备方法,其中,该氧化锡层由电浆辅助沉积法形成。
4.如权利要求3所述的制备方法,其中,该电浆辅助沉积法所应用的电浆功率介于25至150瓦之间。
5.如权利要求3所述的制备方法,其中,该电浆辅助沉积法所应用的反应气体至少包括氧气及四甲基锡。
6.如权利要求3所述的制备方法,其中,该电浆辅助沉积法应用低温电浆。
7.如权利要求1所述的制备方法,其中,该聚乙二醇层由旋转涂布法形成。
8.如权利要求7所述的制备方法,其中,该旋转涂布法所应用的转速介于800至
1500rpm之间。
9.如权利要求7所述的制备方法,其中,该旋转涂布法是应用聚乙二醇溶液,且该聚乙二醇溶液的浓度介于1至12w.t.%之间。
10.如权利要求9所述的制备方法,其中,该聚乙二醇溶液的聚乙二醇的分子量介于
200至20000之间。
11.如权利要求1所述的制备方法,其中,该丙烯酰胺层由紫外光接枝聚合法形成。
12.如权利要求11所述的制备方法,其中,该紫外光接枝聚合法所应用的紫外光的功率介于900至1100瓦之间。
13.如权利要求11所述的制备方法,其中,该紫外光接枝聚合法是应用丙烯酰胺溶液,且该丙烯酰胺溶液的浓度介于8至12w.t.%之间。
14.一种一氧化碳气体传感器,包括:
一具有一上表面的基板;
二组电极,位于该基板上表面;
一个氧化锡层,覆盖该二组电极部分与该基板上表面部分;以及
一有机聚合物层,位于该氧化锡层表面;所述有机聚合物层为聚乙二醇层或丙烯酰胺层。
15.如权利要求14所述的一氧化碳气体传感器,其中,该基板为氧化铝基板或碳基板。
16.如权利要求14所述的一氧化碳气体传感器,其中,该二组电极的材质为金。
17.如权利要求14所述的一氧化碳气体传感器,其中,该二组电极为梳型电极。
18.如权利要求14所述的一氧化碳气体传感器,其中,该氧化锡层的厚度介于40至
1400nm之间。
19.如权利要求14所述的一氧化碳气体传感器,其中,该聚乙二醇层的厚度介于1000至1600nm之间。
一氧化碳气体传感器的制备方法及一氧化碳气体传感器\n技术领域\n[0001] 本发明是关于一种一氧化碳气体传感器的制备方法及一氧化碳气体传感器,尤其是指一种可于室温下制备,且制备所得的一氧化碳气体传感器可于室温下感测并具有较佳感测选择性的一氧化碳气体传感器的制备方法。\n背景技术\n[0002] 在现今的生活环境中常有一氧化碳(CO)产生,例如车辆所排放出的尾气、工厂烟道所排放出的废气或煤炭瓦斯等均会产生一氧化碳。而当人体一但吸入过量的一氧化碳时,其血液输送氧的功能将会大幅降低,且若人体处于一具有高浓度一氧化碳的环境时,则会使其大脑失去正常功能甚至会导致死亡。况且,由于一氧化碳为一种无色、无味、且无刺激性的气体,使得人们并无法单单由其感官对此一危机产生任何事先预警的作用。因此,在现今的环境中,感测一氧化碳气体的感测技术越发显出其重要性。\n[0003] 目前所使用的一氧化碳气体传感器可大略分为固态半导体式、光学式、电化学式、和应用其它原理感测的一氧化碳气体传感器。其中,固态半导体式一氧化碳气体传感器是以金属氧化物半导体材料侦测一氧化碳气体的存在,如氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铁(Fe3O4)、或氧化钨(WO3)等等。但是,这些固态半导体式一氧化碳气体传感器多半感测选择性较差,它们对一氧化碳气体的感测很容易受到环境中同时存在的其它种类气体的干扰,其它们的感测稳定性也有极大的进步空间。况且,这些固态半导体式一氧化碳气体传感器般需要较高的操作温度,如摄氏200至400度,才能进行一氧化碳气体的感测,且它们均需要应用到高温工艺才能被制备出来。因此,这些固态半导体式一氧化碳气体传感器的制备及应用都受到不少限制。\n[0004] 图1为是公知一氧化碳气体传感器1的示意图,其包括一基板11,其具有一上表面\n111并为一氧化铝基板,即陶瓷基板。而在基板11的上表面111的不同位置,分设有第一梳型电极121、第二梳型电极122、第一焊垫123以及第二焊垫124,其中,第一梳型电极121与第二梳型电极122彼此交错但并未连接,且两者的一端分别连接于第一焊垫123与第二焊垫124,分别形成两组互相独立的电极。此外,一氧化锡层13覆盖第一梳型电极121与第二梳型电极122,且氧化锡层13亦形成在介于第一梳型电极121与第二梳型电极122之间的基板11的上表面111。\n[0005] 图2A及图2B为公知一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图,两者之间的差别在于形成图2A所应用的公知一氧化碳气体传感器的氧化锡层时,电浆辅助沉积机台(图中未示)的反应腔(图中未示)内的氧气与四甲基锡的蒸气压均为20mtorr,而在形成图2B所应用的公知一氧化碳气体传感器的氧化锡层时,电浆辅助沉积机台(图中未示)的反应腔(图中未示)内的氧气与四甲基锡的蒸气压则均为40mtorr。\n[0006] 从图2A及图2B可看出,不论哪一种公知一氧化碳气体传感器,当它们被置入一检测腔(图中未示)内量测它们的阻抗值时(此时检测腔腔内的一氧化碳气体浓度为\n400ppm),量测所得的图形均杂乱无章,完全无法应用于对一氧化碳气体的感测。\n[0007] 因此,业界需要一种可于室温下制备,且制备所得的一氧化碳气体传感器可于室温下感测并具有较佳感测选择性的一氧化碳气体传感器的制备方法。\n发明内容\n[0008] 本发明的目的在于提供一种一氧化碳气体传感器的制备方法及一氧化碳气体传感器,以克服公知技术中存在的缺陷。\n[0009] 为实现上述目的,本发明提供的一氧化碳气体传感器的制备方法,包括下列步骤:\n[0010] 提供一具有一上表面的基板;\n[0011] 形成二组电极于该基板上表面;\n[0012] 形成一个氧化锡层,且该氧化锡层覆盖该二组电极部分与该基板上表面部分;以及\n[0013] 形成一有机聚合物层于该氧化锡层表面。\n[0014] 所述的制备方法,其中该二组电极由网印方式形成。\n[0015] 所述的制备方法,其中该氧化锡层由电浆辅助沉积法形成。\n[0016] 所述的制备方法,其中该电浆辅助沉积法所应用的电浆功率介于25至150瓦之间。\n[0017] 所述的制备方法,其中该电浆辅助沉积法所应用的反应气体至少包括氧气及四甲基锡。\n[0018] 所述的制备方法,其中该电浆辅助沉积法应用低温电浆。\n[0019] 所述的制备方法,其中该有机聚合物层为聚乙二醇层。\n[0020] 所述的制备方法,其中该聚乙二醇层由旋转涂布法形成。\n[0021] 所述的制备方法,其中该旋转涂布法所应用的转速介于800至1500rpm之间。\n[0022] 所述的制备方法,其中该旋转涂布法是应用聚乙二醇溶液,且该聚乙二醇溶液的浓度介于1至12w.t.%之间。\n[0023] 所述的制备方法,其中该聚乙二醇溶液的聚乙二醇的分子量介于200至20000之间。\n[0024] 所述的制备方法,其中该有机聚合物层为丙烯酰胺层。\n[0025] 所述的制备方法,其中该丙烯酰胺层由紫外(UV)光接枝聚合法形成。\n[0026] 所述的制备方法,其中该紫外光接枝聚合法所应用的紫外光的功率介于900至\n1100瓦之间。\n[0027] 所述的制备方法,其中该紫外光接枝聚合法是应用丙烯酰胺溶液,且该丙烯酰胺溶液的浓度介于8至12w.t.%之间。\n[0028] 本发明提供的一氧化碳气体传感器,包括:\n[0029] 一具有一上表面的基板;\n[0030] 二组电极,位于该基板上表面;\n[0031] 一个氧化锡层,覆盖该二组电极部分与该基板上表面部分;以及[0032] 一有机聚合物层,位于该氧化锡层表面。\n[0033] 所述的一氧化碳气体传感器,其中该基板为氧化铝基板或碳基板。\n[0034] 所述的一氧化碳气体传感器,其中该二组电极的材质为金。\n[0035] 所述的一氧化碳气体传感器,其中该二组电极为梳型电极。\n[0036] 所述的一氧化碳气体传感器,其中该氧化锡层的厚度介于40至1400nm之间。\n[0037] 所述的一氧化碳气体传感器,其中该有机聚合物层为聚乙二醇层。\n[0038] 所述的一氧化碳气体传感器,其中该聚乙二醇层的厚度介于1000至1600nm之间。\n[0039] 所述的一氧化碳气体传感器,其中该有机聚合物层为丙烯酰胺层。\n[0040] 换言之,本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法,包括下列步骤:提供一具有一上表面的基板;形成二组电极于此基板的上表面,且此两组电极组成一对栉形电极;形成一个氧化锡层,且此氧化锡层覆盖此组电极部分与此基板上表面部分;以及形成一有机聚合物层于此氧化锡层表面。\n[0041] 本发明的一氧化碳气体传感器,包括:一具有一上表面的基板;二组电极,位于此基板的上表面,且此两组电极组成一对栉形电极;一个氧化锡层,覆盖此二组电极部分与此基板上表面部分;以及一有机聚合物层,位于此氧化锡层表面。\n[0042] 因此,由于本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法是由低温电浆辅助沉积法形成一氧化碳气体传感器的氧化锡层,再由旋转涂布法、UV光接枝聚合法或网印的方式于此氧化锡层形成另一有机聚合物层,且前述的各种工艺均可于室温下执行,所以本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法可于室温下制备出一氧化碳气体传感器,且整个制备方法所使用到的各种工艺均相当简单,使得本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法的良率可有效提升。此外,由本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器并不需要被加热至摄氏数百度的高温才能进行一氧化碳气体的感测,其在一般室温环境下便可感测一氧化碳气体。况且,由于本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器对于一氧化碳气体的感测并不会受到环境中其它种类气体的干扰,其具有较佳的感测选择性。\n[0043] 本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法可使用任何方法形成此二组电极(一对栉形电极)于此基板的上表面,它们较佳由网印的方式形成。本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法可使用任何方法形成此氧化锡层,此氧化锡层较佳由电浆辅助沉积法或旋转涂布法形成。在本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法中,用于形成此氧化锡层的电浆辅助沉积法可应用任何功率的电浆,其所应用的电浆的功率较佳介于25至150瓦,最佳为100瓦。在本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法中,用于形成此氧化锡层的电浆辅助沉积法可应用任何种类的反应气体,其所应用的反应气体较佳至少包括氧气及四甲基锡。在本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法中,用于形成此氧化锡层的电浆辅助沉积法可应用任何种类的电浆,其较佳应用低温电浆。本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法可形成任何种类的有机聚合物层于此氧化锡层的表面,其较佳形成聚乙二醇层或丙烯酰胺层于此氧化锡层表面。\n[0044] 本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法可使用任何方法形成此聚乙二醇层于此氧化锡层表面,此聚乙二醇层较佳是由旋转涂布法形成于氧化锡层表面。在本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法中,用于形成此聚乙二醇层的旋转涂布法可应用任何范围的转速,其转速较佳介于800至1500rpm之间,其所应用的转速最佳为由一第一转速1000rpm及一第二转速1500rpm构成的转速组合。在本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法中,用于形成此聚乙二醇层的旋转涂布法可应用一具有任何浓度的聚乙二醇溶液,此聚乙二醇溶液的浓度较佳介于1至12w.t.%之间,其浓度最佳介于3至10w.t.%之间。在本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法中,用于形成此聚乙二醇层的旋转涂布法所应用的聚乙二醇溶液可具有任何分子量的聚乙二醇,此聚乙二醇溶液所具的聚乙二醇的分子量较佳介于\n200至20000之间。\n[0045] 本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法可使用任何方法形成此丙烯酰胺层于此氧化锡层表面,此丙烯酰胺层较佳由UV光接枝聚合法形成于氧化锡层表面。在本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法中,用于形成此丙烯酰胺层于此氧化锡层表面的UV光接枝聚合法可应用任何功率的UV光,其所应用的UV光的功率较佳介于900至1110瓦,最佳为1000瓦。在本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法中,用于形成此丙烯酰胺层于此氧化锡层表面的UV光接枝聚合法可应用一具有任何浓度的丙烯酰胺溶液,此丙烯酰胺溶液的浓度较佳介于8至12w.t.%之间,其浓度最佳为10w.t.%。\n[0046] 本发明的一氧化碳气体传感器可具有任何种类的基板,其基板较佳为氧化铝基板或碳基板。本发明的一氧化碳气体传感器的二组电极(一对栉形电极)可具有任何材质,它们的材质较佳为金或银。本发明的一氧化碳气体传感器可具有任何类型的二组电极,此两组电极较佳为梳型电极。本发明的一氧化碳气体传感器可具有任何类型的有机聚合物层,其有机聚合物层较佳为聚乙二醇层或丙烯酰胺层。本发明的一氧化碳气体传感器可具有任何厚度的氧化锡层,其氧化锡层的厚度较佳介于40至1400nm之间。本发明的一氧化碳气体传感器可具有任何厚度的聚乙二醇层,其聚乙二醇层的厚度较佳介于1000至1600nm之间。\n附图说明\n[0047] 图1为公知一氧化碳气体传感器的示意图。\n[0048] 图2A及图2B为当公知一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。\n[0049] 图3为本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法的流程图。\n[0050] 图4为本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的示意图。\n[0051] 图5A及图5B为两个比较例的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。\n[0052] 图6A为当一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。\n[0053] 图6B为当一利用本发明第二较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。\n[0054] 图7为当一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。\n[0055] 图8为当一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于甲烷气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。\n[0056] 图9为当一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于丁烷气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。\n[0057] 图10为当一利用本发明第三较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。\n具体实施方式\n[0058] 如图3所示,本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法至少包括下列四个步骤:\n[0059] (A):提供一具有一上表面的基板;\n[0060] (B):形成二组电极于此基板的上表面;\n[0061] (C):形成一个氧化锡层,且此氧化锡层覆盖此二组电极部分与此基板上表面部分;以及\n[0062] (D):形成一有机聚合物层于此氧化锡层表面。\n[0063] 以下,将配合图4的一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备而成的一氧化碳气体传感器4示意图,详细叙述本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法于下:\n[0064] 首先,提供一基板41,其并具有一上表面411。需注意的是,基板41的材质并没有任何限制,虽然在本较佳实施例中,基板41为一氧化铝(Al2O3)基板,即陶瓷基板,但其亦可为氧化锡基板(SnOx)。此外,基板41的形状并不以图4所示的形状为限,其亦可依据不同应用而有不同的形状,如圆形或椭圆形等。\n[0065] 其次,再于基板41的上表面411的不同位置分别形成第一梳型电极421、第二梳型电极422、第一焊垫423以及第二焊垫424。其中,第一焊垫423与第二焊垫424是利用网印的方式,将一预先调制的「银胶」印刷于基板41的上表面411的特定位置,再将基板41放入一高温烧结炉内(图中未示)进行高温烧结程序而成。至于第一梳型电极421与第二梳型电极422,则也是利用网印的方式,将另一预先调制的「银胶」印刷于基板41的上表面\n411的特定位置,再将基板41放入一干燥炉内(图中未示)进行干燥烘烤程序而成,且第一梳型电极421与第二梳型电极422组成一对栉形电极。此外,第一梳型电极421与第二梳型电极422彼此交错但并未连接,且两者的一端分别连接于第一焊垫423与第二焊垫424,分别形成两组互相独立的电极。\n[0066] 接着,基板41被放入一电浆辅助沉积机台内(图中未示)以形成一氧化锡层43,如图4所示,氧化锡层43不仅覆盖前述的第一梳型电极421与第二梳型电极422,氧化锡层43亦沉积在介于第一梳型电极421与第二梳型电极422之间的基板41的上表面411。\n需注意的是,氧化锡层43覆盖于第一梳型电极421与第二梳型电极422的方式并不以图4所示为限,其亦可仅覆盖住第一梳型电极421与第二梳型电极422的部分区域。另一方面,当利用电浆辅助沉积法沉积氧化锡层43时,电浆辅助沉积机台(图中未示)通入包括氧气与四甲基锡的数种反应气体于其反应腔(图中未示)内,并使得氧气与四甲基锡于反应腔(图中未示)内的蒸气压均为40Mtorr。此外,整个电浆辅助沉积过程约耗时10分钟,而所使用的低温电浆的功率约为100瓦。一旦完成整个电浆辅助沉积程序后,便可形成一厚度约为1160nm的氧化锡层43。一般而言,氧化锡层43的厚度较佳介于40至1400nm之间。需注意的是,在整个电浆辅助沉积程序中,前述的氧气与四甲基锡两种反应气体于电浆辅助沉积机台(图中未示)的反应腔(图中未示)内的蒸气压可依据所欲沉积的具有不同特性的氧化锡层43而有所变化,并非仅限于前述的40mtorr。例如,在本发明第二较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法中,在形成氧化锡层43的电浆辅助沉积程序中,氧气与四甲基锡于反应腔(图中未示)内的蒸气压则均为20mtorr。\n[0067] 最后,再利用旋转涂布法形成一聚乙二醇层44于氧化锡层43的表面,而在本较佳实施例中,聚乙二醇层44的厚度约为1200nm。但是,聚乙二醇层44也不以此为限,其亦可依据不同的应用环境而具有不同的厚度。一般而言,聚乙二醇层44的厚度较佳介于1000至1600nm之间。当利用旋转涂布法形成聚乙二醇层44于氧化锡层43的表面时,是将一预先调制的「聚乙二醇溶液」滴落于氧化锡层43的表面,再将基板41以1000rpm的转速旋转\n30秒,再以1500rpm的转速旋转20秒,整个旋转涂布法共需50秒,便可于氧化锡层43的表面形成聚乙二醇层44。此外,在本较佳实施例中,前述所提的「聚乙二醇溶液」的聚乙二醇溶液的浓度约介于3至10w.t.%之间,而此「聚乙二醇溶液」所具有的聚乙二醇的分子量则较佳介于200至20000之间。不过,此聚乙二醇溶液的浓度及其所具有的的分子量均会因不同的应用环境而有所变化,并非仅限于前述所提及的范围。等到完成前述的各个步骤后,本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法便可制备出一如图4所示的一氧化碳气体传感器4。\n[0068] 另一方面,本发明第二较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法同样至少包括下列四个步骤:\n[0069] (A):提供一具有一上表面的基板;\n[0070] (B):形成二组电极于此基板的上表面;\n[0071] (C):形成一个氧化锡层,且此氧化锡层覆盖此二组电极部分与此基板上表面部分;以及\n[0072] (D):形成一有机聚合物层于此氧化锡层表面。\n[0073] 也就是说,本发明第二较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法与前述的本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法大致相同,而两者之间的差别仅在于由电浆辅助沉积程序沉积氧化锡层于基板及二组电极时,即步骤(C),电浆辅助沉积机台(图中未示)的反应腔(图中未示)内的氧气与四甲基锡两种反应气体的蒸气压均为\n20mtorr,而非40mtorr。至于其余的各个步骤所牵涉的各个程序的操作参数,如利用旋转涂布法形成一聚乙二醇层于前述的氧化锡层表面的程序所应用的转速等,均与本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法的相对应程序的操作参数相同。此外,由本发明第二较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器,其氧化锡层的结构与特性便会与由本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的氧化锡层的结构与特性相异。\n[0074] 接着,将提供两个比较例的一氧化碳气体传感器的阻抗测试示意图,以与一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的阻抗测试示意图相互对照。其中,图5A及图5B是当这两个比较例的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图,且量测时一检测腔(图中未示)中一氧化碳气体的浓度为400ppm。此外,图5A所应用的一氧化碳气体传感器是以包含下列步骤的一氧化碳气体传感器制备方法制备:\n[0075] 首先,提供一具有一上表面的基板,再于基板的上表面的不同位置分别形成第一梳型电极、第二梳型电极、第一焊垫以及第二焊垫。其中,第一焊垫与第二焊垫是利用网印的方式,将一预先调制的「银胶」印刷于基板的的上表面的特定位置,再将基板放入一高温烧结炉内进行高温烧结程序而成。至于第一梳型电极与第二梳型电极,则同样利用网印的方式,将另一预先调制的「银胶」印刷于基板的上表面的特定位置,再将基板放入一干燥炉内(图中未示)进行干燥烘烤程序而成。此外,第一梳型电极与第二梳型电极彼此交错但并未连接,且两者的一端分别连接于第一焊垫与第二焊垫,分别形成两组互相独立的电极。\n[0076] 接着,基板被放入一电浆辅助沉积机台内(图中未示)以形成一氧化锡层。而当利用电浆辅助沉积法沉积氧化锡层时,电浆辅助沉积机台(图中未示)通入包括氧气与四甲基锡的数种反应气体于其反应腔(图中未示)内,使得氧气与四甲基锡于反应腔(图中未示)内的蒸气压均为40mtorr。此外,整个电浆辅助沉积过程约耗时10分钟,而所使用的低温电浆的功率约为100瓦。最后,再利用UV光接枝聚合法形成聚苯乙烯磺酸钠(NaSS)层于氧化锡层的表面,且当利用UV光接枝聚合法形成聚苯乙烯磺酸钠层于氧化锡层的表面时,其将一预先调制的「苯乙烯磺酸钠溶液」涂布于氧化锡层的表面,而此苯乙烯磺酸钠溶液的苯乙烯磺酸钠浓度约为10w.t.%。接着,再将此基板以功率1000瓦的UV光(其最佳波长为365nm)持续照射约40分钟后,便可于氧化锡层的表面光接枝聚合成聚苯乙烯磺酸钠层。\n[0077] 至于图5B所应用的一氧化碳气体传感器的制备方法,则与图5A所应用的一氧化碳气体传感器的制备方法大致相同,两者之间的差别仅在于由电浆辅助沉积程序沉积一氧化锡层于基板及二组电极时,即步骤(C),电浆辅助沉积机台(图中未示)的反应腔(图中未示)内的氧气与四甲基锡两种气体的蒸气压均为20mtorr,而非40mtorr。至于其余的各个步骤所牵涉的各个程序的操作参数,如利用UV光接枝聚合法形成聚苯乙烯磺酸钠层于氧化锡层的表面的程序所应用的UV光的功率等,均与图5A所应用的一氧化碳气体传感器的制备方法的相对应程序的操作参数相同。\n[0078] 从图5A及图5B均可看出,在整个量测过程中(约700秒),此检测腔(图中未示)中一氧化碳气体的浓度均维持400ppm,而此两个比较例的一氧化碳气体传感器的阻抗值在整个量测过程中,均杂乱无章且无法呈现出一个可用于一氧化碳气体感测的稳定趋势。因此,此两个比较例的一氧化碳气体传感器均无法应用于一氧化碳气体感测。也就是说,在公知一氧化碳气体传感器上利用光接枝聚合成聚苯乙烯磺酸钠层并无法使此两个比较例的一氧化碳气体传感器能够应用于一氧化碳气体感测中。\n[0079] 图6A是当一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。从图中看出,在整个量测过程中(约700秒),此检测腔(图中未示)中一氧化碳气体的浓度均维持400ppm,且一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的阻抗值在整个量测过程中呈现出一个可用于一氧化碳气体感测的稳定增加趋势。\n[0080] 图6B是利用当本发明第二较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。从图中看出,在整个量测过程中(约700秒),此检测腔(图中未示)中一氧化碳气体的浓度均维持400ppm,且一利用本发明第二较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的阻抗值在整个量测过程中亦呈现出一个可用于一氧化碳气体感测的稳定增加趋势。因此,一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器及一利用本发明第二较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器均可应用于一氧化碳气体的感测。\n[0081] 图7是当一利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。其中,此一氧化碳气体传感器被放入一检测腔中(图中未示),再持续通入一氧化碳气体以量测存在于此一氧化碳气体传感器的阻抗值与环境中的一氧化碳气体浓度之间的关系。如图7所示,当持续通入一氧化碳气体于此检测腔中(图中未示)100秒以后,此检测腔中的一氧化碳气体浓度为30ppm。依此类推,当持续通入一氧化碳气体于此检测腔中(图中未示)820秒以后,此检测腔中的一氧化碳气体浓度便达到650ppm。因此,随着持续通入一氧化碳气体于此检测腔(图中未示)中的时间增加,此检测腔(图中未示)中一氧化碳气体的浓度也逐渐增加。此外,从图7中可以看出,利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的阻抗值会随着此检测腔(图中未示)中一氧化碳气体的浓度大致呈线性地增加。所以,利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器可应用于侦测环境中一氧化碳气体的浓度。\n[0082] 以下,将由图8与图9,证明利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的阻抗值并不会因为环境中同时存在的其它种类气体,如甲烷及丁烷,而产生任何线性增加的趋势并影响到此一氧化碳气体传感器对于目标气体(一氧化碳气体)的感测。\n[0083] 如图8所示,其利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于甲烷气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。从图中可以看出,在整个量测过程中(约1400秒),不论甲烷在检测腔中(图中未示)内的浓度为何,利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的阻抗值均大致相同,即稳定地大于120000kohm。明显地,此种阻抗值变化并无法用于感测气体的浓度。同样地,如图9所示,其利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于丁烷气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图。从图中可以看出,在整个量测过程中(约1400秒),不论丁烷在检测腔中(图中未示)内的浓度为何,利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器的制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的阻抗值均大致相同,也是稳定地大于150000kohm。同样地,此种阻抗值变化也无法用于感测气体的浓度。\n[0084] 因此,即便在感测一氧化碳气体的过程中,检测环境同时存在目标气体(一氧化碳气体)以外的别种气体,如甲烷或丁烷等,利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的阻抗值的线性变化仍是由目标气体(一氧化碳气体)的浓度变化造成的。即,利用本发明第一较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的感测选择性极佳。\n[0085] 图10是当利用本发明第三较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器应用于一氧化碳气体感测时,量测所得的阻抗测试示意图,且量测时检测腔(图中未示)中一氧化碳气体的浓度为400ppm。此外,图10所应用的一利用本发明第三较佳实施例的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器系以下列步骤制备:\n[0086] 首先,提供一具有一上表面的基板,再于基板的上表面的不同位置分别形成第一梳型电极、第二梳型电极、第一焊垫以及第二焊垫。其中,第一焊垫与第二焊垫是利用网印的方式,将一预先调制的「银胶」印刷于基板上表面的特定位置,再将基板放入一高温烧结炉内进行高温烧结程序而成。至于第一梳型电极与第二梳型电极,则同样利用网印的方式,将另一预先调制的「银胶」印刷于基板上表面的特定位置,再将基板放入一干燥炉内(图中未示)进行干燥烘烤程序而成。此外,第一梳型电极与第二梳型电极彼此交错但并未连接,且两者的一端分别连接于第一焊垫与第二焊垫,分别形成两组互相独立的电极。\n[0087] 接着,基板被放入一电浆辅助沉积机台内(图中未示)以形成一氧化锡层。而当利用电浆辅助沉积法沉积氧化锡层时,电浆辅助沉积机台(图中未示)通入包括氧气与四甲基锡的数种反应气体于其反应腔(图中未示)内,使得氧气与四甲基锡于反应腔(图中未示)内的蒸气压均为20mtorr。此外,整个电浆辅助沉积过程约耗时10分钟,而所使用的低温电浆的功率约为100瓦。最后,再利用UV光接枝聚合法形成丙烯酰胺层于氧化锡层的表面,且当利用UV光接枝聚合法形成丙烯酰胺层于氧化锡层的表面时,其是将预先调制的「丙烯酰胺溶液」涂布于氧化锡层的表面,此丙烯酰胺溶液的丙烯酰胺浓度则约为10w.t.%。接着,再将此基板以功率1000瓦的UV光持续照射约40分钟后,便可于氧化锡层的表面光接枝聚合成丙烯酰胺层。\n[0088] 如图10所示,在整个量测过程中(约700秒),检测腔(图中未示)中一氧化碳气体的浓度均维持400ppm,而利用本发明第三较佳实施例制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器的阻抗值在整个量测过程中,呈现一逐渐增加的线性趋势。虽然此线性增加趋势略逊于图6A及图6B所示的线性增加趋势,但此线性增加趋势已足以用于一氧化碳气体的感测。\n[0089] 综上所述,由于本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法是由低温电浆辅助沉积法形成一氧化碳气体传感器的氧化锡层,再由旋转涂布法、UV光接枝聚合法或网印的方式于此氧化锡层形成另一有机聚合物层,且前述的各种工艺均可于室温下执行,所以本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法可于室温下制备出一氧化碳气体传感器,且整个制备方法所使用到的各种工艺均相当简单,使得本发明的一氧化碳气体传感器的制备方法的良率可有效提升。此外,由本发明的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器并不需要被加热至摄氏数百度的高温才能进行一氧化碳气体的感测,其在一般室温环境下便可感测一氧化碳气体。况且,由于本发明的一氧化碳气体传感器制备方法制备所得的一氧化碳气体传感器对于一氧化碳气体的感测并不会受到环境中其它种类气体的干扰,其具有较佳的感测选择性。\n[0090] 上述实施例仅为了方便说明而举例而已,本发明所主张的权利范围自应以申请的权利要求范围所述为准,而非仅限于上述实施例。
法律信息
- 2015-07-08
未缴年费专利权终止
IPC(主分类): G01N 27/12
专利号: ZL 200710105224.9
申请日: 2007.05.24
授权公告日: 2011.06.15
- 2011-06-15
- 2009-01-21
- 2008-11-26
引用专利(该专利引用了哪些专利)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 |
1
| | 暂无 |
1988-10-31
| | |
被引用专利(该专利被哪些专利引用)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有被任何外部专利所引用! |