低轮廓获取电极组件及离子植入机

发明专利有效专利

申请号：
CN201680066016.X
IPC分类号：H01J37/317;H01J37/08
申请日期：
2016-09-23
申请人：
瓦里安半导体设备公司

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专利名称	低轮廓获取电极组件及离子植入机
申请号	CN201680066016.X	申请日期	2016-09-23
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-07-31	公开/公告号	CN108352285A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/317 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/30 物体局部处理用的电子束管或离子束管 H01J37/317 用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入（H01J 37/36优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;H;0;1;J;3;7;/;0;8查看分类表>
申请人	瓦里安半导体设备公司	申请人地址	美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号(邮编01930) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瓦里安半导体设备公司	当前权利人	瓦里安半导体设备公司
发明人	杰弗里·A·柏吉斯
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	马爽;臧建明

摘要

一种低轮廓获取电极组件及离子植入机，所述低轮廓获取电极组件包括：绝缘体，具有主体；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的第一面延伸；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的与所述第一面相对的第二面延伸，从所述第二面延伸的所述多个间隔开的安装支脚在与所述主体的轴线正交的方向相对于从所述第一面延伸的所述多个间隔开的安装支脚偏置，所述低轮廓获取电极组件还包括：接地电极，紧固至从所述第一面延伸的所述安装支脚；以及抑制电极，紧固至从所述第二面延伸的所述安装支脚，其中所述接地电极与所述抑制电极之间的放电路径距离大于所述接地电极与所述抑制电极之间的焦距。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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