半导体封装

发明专利无效专利

申请号：
CN201210316514.9
IPC分类号：H01L25/18;H01L23/538;H01L23/31
申请日期：
2012-08-30
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体封装
申请号	CN201210316514.9	申请日期	2012-08-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-13	公开/公告号	CN102969309A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/18 包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;1;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	进藤浩一郎;岩本正次
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	陈海红;段承恩

摘要

提供每系统抑制布线长度的差异并能实现高速工作的半导体封装。具备具有第1主面和对置于第1主面的第2主面的矩形的基板、安装于第1主面上的第1半导体芯片、叠层于第1半导体芯片上的1个以上的第2半导体芯片和叠层于1个以上的第2半导体芯片上的1个以上的第3半导体芯片；基板在第1主面上的第1边侧，具有与1个以上的第2半导体芯片的电极连接的第1连接端子和与第1连接端子电连接且与第1半导体芯片的第1电极连接的第3连接端子，在第1主面上的夹着第1半导体芯片与第1边对置的第2边侧，具有与1个以上的第3半导体芯片的第2电极连接的第2连接端子和与第2连接端子电连接且与第1半导体芯片的电极连接的第4连接端子。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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