一种稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510989252.6
IPC分类号：C30B29/14;C30B9/12
申请日期：
2015-12-25
申请人：
青岛大学

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专利名称	一种稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置及方法
申请号	CN201510989252.6	申请日期	2015-12-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-27	公开/公告号	CN105525348A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/14 磷酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;4;;;C;3;0;B;9;/;1;2查看分类表>
申请人	青岛大学	申请人地址	山东省青岛市市南区宁夏路308号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	青岛大学	当前权利人	青岛大学
发明人	滕冰;钟德高;张世明;姜学军;孔伟金;杨利廷;于萌华;景贺琳
代理机构	青岛高晓专利事务所（普通合伙）	代理人	黄晓敏

摘要

本发明属于单晶生长技术领域，涉及一种适用于助熔剂法单晶生长的装置，特别是一种稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置及方法，先将氧化铅和氟化铅混合后压制成圆柱形块状结构得到助熔剂，再将YbPO4和YPO4的混合物放置于内壁的底部并压实，在混合物上面放置助熔剂；然后将上盖拧盖在外壁上密封后将生长装置放置于加热炉内，调节加热炉的温度，先升温至800℃，再依次降温至750℃、700℃、600℃、500℃和室温，晶体生长结束，其采用的装置结构简单，操作方便，成本低，能耗少，能将晶体生长温度降低400℃，减少能源损耗，生长出的晶体尺寸和质量高，减少有毒物质的排放，环境友好。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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