半导体存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN03824440.3
IPC分类号：G11C11/4063
申请日期：
2003-04-24
申请人：
富士通株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储器
申请号	CN03824440.3	申请日期	2003-04-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-26	公开/公告号	CN1689113
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/4063 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/4063 辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;6;3查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社索思未来	当前权利人	株式会社索思未来
发明人	松崎康郎
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	赵淑萍

摘要

多个标志被形成以对应于各自的存储器单元组，每个存储器单元组由多个易失性存储器单元组成。每个标志指示存储器单元以第二存储器模式存储数据。在将模式从第一存储器模式改变到第二存储器模式的改变操作中，响应于对相应的存储器单元组的第一次访问，每个标志被复位，其中在第一存储器模式中由每个存储器单元独立地保持数据，而在第二存储器模式中，每个存储器单元组中的存储器单元保持相同数据。为此，在每个存储器单元组中，只有第一次访问是以第二存储器模式进行的。在上述改变操作中，通过以与标志一致的模式访问存储器单元，使得即使在改变操作期间，管理半导体存储器的系统也能够自由地访问存储器单元。结果，可以基本消除改变时间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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