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锗光检测器

发明专利有效专利

申请号：
CN201180033214.3
IPC分类号：H01L31/102;H01L31/18
申请日期：
2011-06-21
申请人：
国际商业机器公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	锗光检测器
申请号	CN201180033214.3	申请日期	2011-06-21
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-20	公开/公告号	CN102986041A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/102 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	开曼群岛大开曼岛变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯公司	当前权利人	格芯公司
发明人	朴镇弘;S·阿塞法;金志焕;Y·弗拉索夫
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	于静;张亚非

摘要

一种形成光检测器器件的方法包括在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层和所述衬底的一部分上形成锗(Ge)层；在所述Ge层上形成第二绝缘层；在所述Ge层中注入n型离子；构图所述n型Ge层；在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的一部分上形成覆盖绝缘层；加热所述器件以结晶所述Ge层而产生单晶n型Ge层以及形成电连接至所述单晶n型Ge层的电极。

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