自对准局部互连

发明专利有效专利

申请号：
CN202010031587.8
IPC分类号：H01L23/535;H01L23/538;H01L23/48;H01L21/768;H01L27/02
申请日期：
2020-01-13
申请人：
英特尔公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	自对准局部互连
申请号	CN202010031587.8	申请日期	2020-01-13
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-21	公开/公告号	CN111564428A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/535 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/535 包括内部互连的，例如穿交结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;5;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	A·D·利拉克;E·曼内巴赫;A·潘;R·申克尔;S·A·博亚尔斯基;W·拉赫马迪;P·莫罗;J·比勒费尔德;G·杜威;H·载允;N·卡比尔
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	邬少俊

摘要

在一些实施例中，通过使用倾斜蚀刻以去除材料从而暴露相邻导体的一部分来形成半导体器件结构。然后，在形成接触部或其它导电结构(例如，和互连)期间，在去除材料时形成的空间可以被一种或多种导电材料填充。以此方式，接触部形成还填充了空间以形成倾斜的局部互连部分，该局部互连部分连接相邻的结构(例如，源极/漏极接触部到相邻的源极/漏极接触部，源极/漏极接触部到相邻的栅极接触部，源极/漏极接触部到也连接到栅极/源极/漏极接触部的相邻器件级导体)。在其它实施例中，在本文中被称为“拼合过孔”的互连结构从导电结构的横向相邻的外围表面建立电连接，所述导电结构并不彼此同轴、同心地对准。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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