一种纳米晶Al-Zr合金薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910893972.0
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16
申请日期：
2019-09-20
申请人：
西安交通大学

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专利名称	一种纳米晶Al-Zr合金薄膜及其制备方法
申请号	CN201910893972.0	申请日期	2019-09-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-29	公开/公告号	CN110512181A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	张金钰;李光亚;王亚强;吴凯;刘刚;孙军
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种纳米晶Al‑Zr合金薄膜及其制备方法，通过磁控溅射共溅射沉积法在在洁净的硅基体上沉积制备Al‑Zr合金，通过Ar气电离产生Ar+离子，其在阴极电位吸引下加速轰击阴极靶材，靶材原子以及二次电子由此溅射出来，其中靶材原子朝相反方向沉积到阳极基板，二次电子在正交电磁场中的运动方向与电场、磁场垂直，呈现圆滚线运动轨迹，增强了同Ar分子的碰撞，提高了Ar电离的几率。本发明离化率高，沉积速率快，工作温度低且元素含量可调可控，不易造成靶材元素的团聚和反溅射现象和微观组织的不均匀。最后在高真空镀膜室自然冷却至室温，避免因薄膜、基体热膨胀系数的不同而导致薄膜从基体脱粘，并防止高温情况下薄膜与空气接触发生氧化。

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