集成真空微电子器件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201420290346.5
IPC分类号：H01J29/10;H01J29/04;H01J19/24
申请日期：
2014-05-29
申请人：
意法半导体股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	集成真空微电子器件
申请号	CN201420290346.5	申请日期	2014-05-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J29/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J29/00 H01J 31/00组中包含的各种阴极射线管或电子束管的零部件 H01J29/02 电极；屏；其安装、支承、配置或绝缘 H01J29/10 形成、摄取、转换或贮存图像或图形的屏	IPC分类号	H;0;1;J;2;9;/;1;0;;;H;0;1;J;2;9;/;0;4;;;H;0;1;J;1;9;/;2;4查看分类表>
申请人	意法半导体股份有限公司	申请人地址	意大利阿格拉布里安扎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	意法半导体股份有限公司	当前权利人	意法半导体股份有限公司
发明人	D·帕蒂
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	王茂华

摘要

本公开描述了一种集成真空微电子器件(1、100、101)，其包括：高掺杂半导体衬底(11)；至少一个绝缘层(12、93、95)，被布置在所述掺杂半导体衬底(11)上方；真空沟槽(19)，被布置在所述至少一个绝缘层(12、32)内，并且延伸到高掺杂半导体衬底(11、31)；第一金属层(42)，用作阴极；第二金属层(22)，被布置在所述高掺杂半导体衬底(11)之下，并且用作阳极。第一金属层(42)被布置为与真空沟槽(19)的上边缘(40)相邻，并且真空沟槽(19)具有使得第一金属层(42)保持悬置在真空沟槽(19)之上的宽度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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