一种半导体结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211133736.7
IPC分类号：H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768
申请日期：
2022-09-19
申请人：
合肥晶合集成电路股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体结构及其制作方法
申请号	CN202211133736.7	申请日期	2022-09-19
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-01	公开/公告号	CN115274594A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	合肥晶合集成电路股份有限公司	申请人地址	安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥晶合集成电路股份有限公司	当前权利人	合肥晶合集成电路股份有限公司
发明人	江道;刘哲儒;郭哲劭;林豫立;夏源政;伏亚楠
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	苗晓娟

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构包括衬底，且衬底上设置有多个半导体器件；第一金属层，设置在所述半导体器件上；介质层，设置在所述第一金属层上；第二金属层，设置在所述介质层；以及导电插塞，设置在所述介质层内，连接所述第一金属层和所述第二金属层，且所述导电插塞包括补偿结构，所述补偿结构设置在所述第一金属层和所述第二金属层的原子迁出位置。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，提高半导体结构的性能。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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