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一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510706706.4
  • IPC分类号:C04B35/582;C04B35/622
  • 申请日期:
    2015-10-27
  • 申请人:
    合肥龙多电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法
申请号CN201510706706.4申请日期2015-10-27
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-03-02公开/公告号CN105367070A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/582IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人合肥龙多电子科技有限公司申请人地址
安徽省合肥市肥东县新城开发区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人合肥龙多电子科技有限公司当前权利人合肥龙多电子科技有限公司
发明人王丹丹;王乐平;夏运明;涂聚友
代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司代理人余成俊
摘要
本发明公开了一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,该材料将氮化铝和碳化硅粉体混合使用,具备高的导热和环保性,而以季铵盐离子液体、无水乙醇、异己二醇制备的复合溶剂较之传统的有机溶剂表面张力低,对粉体的浸润性更佳,得到的复合醇基流延浆料不易产生气泡,微尺度的粉体间能形成稳定的互穿网络结构,浆料流动性好,易于流延成型,坯体烧结稳定性更佳,加入的纳米立方氮化硼有补强增韧的效果,改善基片薄片的力学性能,再结合烧结助剂及其它原料,使得制备得到的基板片烧结温度更低,结构致密,气孔率低,杂质含量低,导热更为高效,可广泛的用做多种电路板基板。

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