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一种双极化阵列天线及通信基站

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202121289522.X
  • IPC分类号:H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q1/00;H01Q21/06;H01Q1/24;H04W88/08
  • 申请日期:
    2021-06-09
  • 申请人:
    上海中兴易联通讯股份有限公司
著录项信息
专利名称一种双极化阵列天线及通信基站
申请号CN202121289522.X申请日期2021-06-09
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01Q1/36IPC分类号H;0;1;Q;1;/;3;6;;;H;0;1;Q;1;/;5;0;;;H;0;1;Q;1;/;5;2;;;H;0;1;Q;1;/;0;0;;;H;0;1;Q;2;1;/;0;6;;;H;0;1;Q;1;/;2;4;;;H;0;4;W;8;8;/;0;8查看分类表>
申请人上海中兴易联通讯股份有限公司申请人地址
上海市浦东新区上海自由贸易试验区碧波路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海中兴易联通讯股份有限公司当前权利人上海中兴易联通讯股份有限公司
发明人陈加友;邱锴;邵禹铭
代理机构上海衡方知识产权代理有限公司代理人朱穆峰
摘要
本实用新型记载了一种双极化阵列天线及通信基站,其中,双极化阵列天线包含反射板、辐射振子、馈电网络、寄生金属片,辐射振子通过垫片结构悬置于所述反射板上方,馈电网络通过所述垫片结构悬置于所述辐射振子上方,寄生金属片通过所述垫片结构悬置于所述辐射振子辐射面上方,同时采用了双馈电网络及其所设有的双三级结构,分别给辐射振子馈电,还可进一步增设隔离柱,使得此双极化阵列天线结构紧凑、排列间隙小,且可进行同相等幅馈电。此种结构可以提高天线阵列辐射,提高端口隔离度,使得所公布的实用新型具有小面积,低剖面,低回波损耗,高端口隔离度,高增益,波束集中,方向图稳定等优点。

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