具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201820198505.7
IPC分类号：H03H9/02
申请日期：
2018-02-05
申请人：
武汉衍熙微器件有限公司

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专利名称	具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器
申请号	CN201820198505.7	申请日期	2018-02-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/02 零部件〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;0;2查看分类表>
申请人	武汉衍熙微器件有限公司	申请人地址	湖北省武汉市江夏区经济开发区藏龙岛梁山头村惠风同庆花园一期G17-S栋1-2层6室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉衍熙微器件有限公司	当前权利人	武汉衍熙微器件有限公司
发明人	赵俊武;林瑞钦
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	王丹

摘要

本实用新型提供一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极，基底与第一电极之间设有反射界面；其中压电层的中间部分位于有源区，压电层包括c轴优选压电层，所述的压电层中还包括非c轴优选压电层，所述的c轴优选压电层的一部分或位于非c轴优选压电层的内侧；其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围，且位于有源区内。本实用新型通过在压电层设置非c轴优选压电层，从而在压电层能够抑制c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振，进而提升谐振器的Q值并减小寄生谐振。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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