用高温氧化方法制备透明低阻/高阻复合膜

发明专利无效专利

申请号：
CN03117783.2
IPC分类号：--
申请日期：
2003-04-30
申请人：
四川大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用高温氧化方法制备透明低阻/高阻复合膜
申请号	CN03117783.2	申请日期	2003-04-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-10-22	公开/公告号	CN1450611
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	四川大学	申请人地址	四川省成都市南一环路一段变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川大学	当前权利人	四川大学
发明人	冯良桓;雷智
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

高温氧化方法制备透明低阻/高阻复合膜，本项发明所属域为新型光电子材料。本发明主要是采用新的制作工艺，改善太阳能电池所需透明电极的性能，提高太阳能电池的转换效率。在作CdS/CdTe电池过程中，为了提高对紫外光的利用，需要降低CdS薄膜的厚度，同时也为了增强膜层之间的结合力，改善电池的填充因子，需要在透明导电薄膜与CdS层之间增加一层透明高阻过渡层薄膜。用高温氧化方法制备透明低阻/高阻复合膜，一次性将透明导电薄膜处理成透明低阻/高阻复合膜，而无需再用物理或化学方法沉积一层透明高阻膜。该发明减化了生产工艺，大幅降低产品成本。该发明还可用于液晶显示器和塑料显示器的透明电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN101615638B	2008-10-06	2008-10-06	具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池失效专利	四川大学
2	CN100398223C	2004-12-24	2004-12-24	抗静电膜的成膜方法和用该成膜方法形成的图像显示装置失效专利	佳能株式会社

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