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一种真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201220375153.0
  • IPC分类号:C23C16/52;C23C14/54
  • 申请日期:
    2012-07-31
  • 申请人:
    桂林电子科技大学
著录项信息
专利名称一种真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置
申请号CN201220375153.0申请日期2012-07-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/52IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人桂林电子科技大学申请人地址
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桂林电子科技大学当前权利人桂林电子科技大学
发明人张文涛;熊显名;朱保华;朱志斌;胡放荣;蒋曲博
代理机构桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司代理人王俭
摘要
本实用新型公开了一种真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置,包含电磁击打器、位移发生器、标准位移物件收集器、传动机构和基片位移部件,电磁击打器和标准位移物件收集器分别置于位移发生器的槽管通孔两侧,位移发生器上的位移牵引器伸出槽管外部分通过传动机构与基片位移部件上的基片位移架或者配重平衡块连接,基片位移架和配重平衡块通过钢丝软线、滑轮相互连接。本装置可以简单、方便、快捷的实现沉积基片的位置调整,能够避免真空容器内电磁干扰、电子元器件气体释放及爆炸等对纳米光栅沉积基片研究的影响,具有较强的实际应用价值。

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