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闪存存储器栅极结构、制备方法及其应用

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310178475.5
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/423;H01L21/8247
  • 申请日期:
    2013-05-15
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称闪存存储器栅极结构、制备方法及其应用
申请号CN201310178475.5申请日期2013-05-15
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-11-19公开/公告号CN104157558A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人杨芸
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本发明提供一种闪存存储器栅极结构、制备方法及其应用,与现有技术形成等宽的栅极结构相比较,采用本发明的制备方法形成的栅极结构包括具有第一宽度的控制栅以及具有第二宽度的浮栅,其中,第二宽度大于第一宽度,换言之,本发明在未改变浮栅关键尺寸的同时,减小了控制栅的关键尺寸,从而使本发明在保证闪存存储器性能几乎不受影响的前提下,进一步增加了控制栅与接触孔之间的距离,从而降低闪存存储器中字线与位线之间产生意外导通的几率,提高闪存存储器在循环操作中的有效性,增加闪存存储器的制备良率和可靠性。

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