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一种U型围栅隧穿晶体管器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310340583.8
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2013-08-06
  • 申请人:
    复旦大学
著录项信息
专利名称一种U型围栅隧穿晶体管器件及其制造方法
申请号CN201310340583.8申请日期2013-08-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-11-27公开/公告号CN103413829A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人复旦大学申请人地址
上海市杨浦区邯郸路220号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人复旦大学当前权利人复旦大学
发明人王玮;张春敏;王鹏飞;孙清清;张卫
代理机构上海正旦专利代理有限公司代理人陆飞;盛志范
摘要
本发明属于20纳米以下半导体器件技术领域,具体涉及一种隧穿晶体管器件及其制造方法。本发明的U型的围栅隧穿晶体管器件,将多栅结构与U型沟槽结构结合在一起,使栅电极在三个方向包裹住电流沟道,可以得到更小的关断电流,同时,使栅电极包围源区,增加了源区和栅电极重叠的面积,进而增加了线性隧穿的面积,从而可以得到更大的开启电流。进一步地,本发明对原有的FinFET工艺加以改进以适应U型沟槽的形成,使得U型的围栅隧穿晶体管器件可以得到更广泛的应用。

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