一种InGaAs纳米异质结红外探测器线阵列及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210226839.8
IPC分类号：H01L31/0352;H01L27/144;H01L31/20
申请日期：
2012-07-03
申请人：
吉林师范大学

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专利名称	一种InGaAs纳米异质结红外探测器线阵列及其制备方法
申请号	CN201210226839.8	申请日期	2012-07-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-22	公开/公告号	CN103531648A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0352 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0352 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;4;;;H;0;1;L;3;1;/;2;0查看分类表>
申请人	吉林师范大学	申请人地址	吉林省四平市海丰大街1301号吉林师范大学信息技术学院办公室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	吉林师范大学	当前权利人	吉林师范大学
发明人	么艳平;刘春玲;汪玉海;秦政坤;常喜;齐海东
代理机构	吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司	代理人	石岱

摘要

本发明提供一种InGaAs纳米异质结红外探测器线阵列及其制备方法，首先在衬底上制备上电极，依次生长有非晶砷化镓缓冲层，砷化镓纳米晶层、铟镓砷纳米晶层，然后制备下电极，形成InGaAs纳米异质结红外探测器线列阵，本发明红外光敏层为纳米晶材料，制备简单，并且可制备出高In组分的InGaAs薄膜，扩展探测范围，并且为非制冷红外探测器，工作于室温，体积小，重量轻，成本低。

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