基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010231175.5
IPC分类号：H01S5/12;H01S5/068;H01S5/042;H01S5/40
申请日期：
2010-07-14
申请人：
中国科学院半导体研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法
申请号	CN201010231175.5	申请日期	2010-07-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-01-05	公开/公告号	CN101938083A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/12 具有周期性结构的谐振腔，例如在分步反馈〔DFB〕激光器里（H01S5/18优先）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;2;;;H;0;1;S;5;/;0;6;8;;;H;0;1;S;5;/;0;4;2;;;H;0;1;S;5;/;4;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	孔端花;朱洪亮;梁松
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供