一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202221891104.2
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/31;H01L23/04;H01L23/10
申请日期：
2022-07-20
申请人：
深圳市金誉半导体股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构
申请号	CN202221891104.2	申请日期	2022-07-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;0;4;;;H;0;1;L;2;3;/;1;0查看分类表>
申请人	深圳市金誉半导体股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层（华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市金誉半导体股份有限公司	当前权利人	深圳市金誉半导体股份有限公司
发明人	顾岚雁;林河北;解维虎;胡慧雄;阳小冬
代理机构	深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	缪太清

摘要

本实用新型公开了一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，包括底板，所述底板下端固定连接有若干个连接钉，所述底板上端开有安装槽，所述底板上端卡接有导热顶盖，所述导热顶盖与底板之间设置有芯片本体，所述芯片本体左端、右端、前端和后端均固定连接有若干个连接脚，若干个所述连接脚等距离分布且互不接触，所述导热顶盖下端固定连接有散热机构，所述导热顶盖与底板之间共同设置有连接机构。本实用新型所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，散热机构中的导热片可以在芯片本体运行过程中，将产生的热量传导至导热顶盖内散发出去，且散热机构中的若干个加强杆不仅起到了加强支撑的效果，也提高了热量传导的效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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