双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110059235.8
IPC分类号：H01S5/20;H01S5/40;H01S5/042
申请日期：
2021-01-15
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用
申请号	CN202110059235.8	申请日期	2021-01-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-07	公开/公告号	CN112769037A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/20 用于控制光波导的半导体的结构或形状〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;2;0;;;H;0;1;S;5;/;4;0;;;H;0;1;S;5;/;0;4;2查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	郑婉华;傅廷;周旭彦;贾宇飞;陈静瑄;王宇飞;王学友;齐爱谊
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	刘歌

摘要

本发明公开了一种双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用，双边耦合超对称半导体激光器阵列包括：主阵列，由一个或者多个相连的第一波导单元构成，至少一个第一波导单元有电流注入并提供增益促使基超模激射；第一副阵列和第二副阵列，第一副阵列和第二副阵列均由一个或者多个相连的第二波导单元构成，用于产生本征损耗并耗散高阶超模，第一副阵列和第二副阵列分别位于主阵列两侧。本发明提供的双边耦合超对称半导体激光器阵列，通过超对称变换构建已知主阵列的两个副阵列并将两个副阵列放在其两侧，使得高阶超模的损耗提升而减小基超模的损耗，从而获得以基超模为主的激光输出，减小激光器的水平发散角，提高激光器的侧向光束质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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