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去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610076597.7
  • IPC分类号:G09G3/20;G11C19/18
  • 申请日期:
    2016-02-03
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置
申请号CN201610076597.7申请日期2016-02-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-27公开/公告号CN105528986A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G09G3/20IPC分类号G;0;9;G;3;/;2;0;;;G;1;1;C;1;9;/;1;8查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司
发明人商广良;韩承佑;韩明夫;郑皓亮;姚星;崔贤植
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司代理人许静;黄灿
摘要
本发明提供一种去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置。所述移位寄存器单元的去噪方法包括:从移位寄存器单元开启后开始计时,得到移位寄存器单元的工作时间;根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压;根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压,以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。本发明根据移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅源电压得到去噪晶体管的当前阈值电压,根据不断增大的去噪晶体管的阈值电压调节去噪晶体管的栅极电压,以在去噪阶段即使是去噪晶体管的阈值电压增大,去噪晶体管也可以开启工作,延长移位寄存器单元的寿命。

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