多量子阱结构及其制造方法、发光二极管

发明专利有效专利

申请号：
CN201110008915.3
IPC分类号：H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00
申请日期：
2011-01-14
申请人：
映瑞光电科技(上海)有限公司

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专利名称	多量子阱结构及其制造方法、发光二极管
申请号	CN201110008915.3	申请日期	2011-01-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-07-13	公开/公告号	CN102122689A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	映瑞光电科技(上海)有限公司	申请人地址	上海市临港产业区新元南路555号金融中心211室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	映瑞光电科技(上海)有限公司	当前权利人	映瑞光电科技(上海)有限公司
发明人	肖德元;张汝京
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明公开了一种多量子阱结构以及发光二极管，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，有源层的能量带隙小于相邻的势垒层的能量带隙，所述势垒层的能量带隙小于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，并且，所述多个势垒层的能量带隙逐渐增加或减小，所述多个有源层的能量带隙也逐渐增加或减小，其中，多个有源层的能量带隙均在1.59eV至3.17eV之间。本发明可有效地防止载流子逃逸，提高发光二极管的内量子效率；此外，所述发光二极管为白光LED，具有体积小、能耗少、响应快、寿命长、无污染的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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