一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器

发明专利无效专利

申请号：
CN201110244004.0
IPC分类号：H01L27/02;H01L29/06;H02H9/04
申请日期：
2011-08-24
申请人：
浙江大学

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著录项信息

专利名称	一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器
申请号	CN201110244004.0	申请日期	2011-08-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-21	公开/公告号	CN102290417A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;2;H;9;/;0;4查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区浙大路38号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	董树荣;吴健;苗萌;马飞
代理机构	杭州天勤知识产权代理有限公司	代理人	胡红娟

摘要

本发明公开了一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层，P+衬底层上从左到右依次设有第一N阱、第二N阱、第二P阱和第一P阱，第二N阱与第二P阱相连；P+衬底层上相对于第一N阱的前侧设有第三N阱，相对于第一P阱的前侧设有第三P阱；第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱和第三P阱上分别对应的设有P+有源注入区、N+有源注入区和N型晕环层；N型晕环层上自底向上依次设有N型漏层、二氧化硅层和P+/N+多晶硅层。本发明通过采用三极管与低电容二极管的组合结构，进一步降低了TVS的寄生电容，提高了ESD防护的响应速度和鲁棒性，可广泛应用于一些便携式设备和高速接口的静电防护上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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