电感装置及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110082578.6
IPC分类号：H01F38/08
申请日期：
2021-01-21
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	电感装置及其形成方法
申请号	CN202110082578.6	申请日期	2021-01-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-01	公开/公告号	CN113470953A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F38/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F38/00 适用于特殊用途或功能的变压器或电感器〔6〕 H01F38/08 高泄漏变压器或电感器〔6〕	IPC分类号	H;0;1;F;3;8;/;0;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	周维裕;陈扬哲;林振华;梁其翔;曾皇文;刘醇明
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	顾伯兴

摘要

一种电感装置包括绝缘层、下磁性层及上磁性层，绝缘层、下磁性层及上磁性层被形成为使得绝缘层不会在电感装置的外边缘或翼处将下磁性层与上磁性层隔开。下磁性层与上磁性层在电感装置的绝缘层及导体周围形成连续的磁性层。通过形成穿过上磁性层的开口来提供漏磁路径。可通过半导体工艺形成穿过上磁性层的开口，所述半导体工艺与用于形成绝缘层的半导体工艺(例如旋转涂布)相比具有相对较高的精度及准确度。这会减少电感装置内以及从电感装置到电感装置的漏磁路径变化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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