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去耦合元件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110447553.8
  • IPC分类号:H01G9/048;H01G9/15;H01G9/26
  • 申请日期:
    2011-12-23
  • 申请人:
    财团法人工业技术研究院
著录项信息
专利名称去耦合元件及其制造方法
申请号CN201110447553.8申请日期2011-12-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-05-15公开/公告号CN103107021A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G9/048IPC分类号H;0;1;G;9;/;0;4;8;;;H;0;1;G;9;/;1;5;;;H;0;1;G;9;/;2;6查看分类表>
申请人财团法人工业技术研究院申请人地址
中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人财团法人工业技术研究院当前权利人财团法人工业技术研究院
发明人潘苡秀;郑宇庭;蔡丽端;陈启伦;郑丞良
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人祁建国;梁挥
摘要
一种去耦合元件包括:导线架、多个电容单元、保护层以及封装元件。导线架包括:阴极端子部,及位于阴极端子部的两端而彼此对向的至少两个阳极端子部,两阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。多个电容单元相互并联且设置在导线架上,每一电容单元具有彼此对向的阴极部与阳极部,阴极部电性连接到阴极端子部,阳极部电性连接到阳极端子部。保护层至少包覆电容单元的阳极部与阴极部至少其中之一。封装元件覆盖导线架、电容单元以及保护层,且封装元件露出导线架的底面。

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