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一种限流二极管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710749716.5
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/40;H01L29/41;H01L29/861
  • 申请日期:
    2017-08-28
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种限流二极管
申请号CN201710749716.5申请日期2017-08-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-12-22公开/公告号CN107507858A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新西区西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人周琦;胡凯;董长旭;朱厉阳;张波
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人孙一峰
摘要
本发明属于半导体技术领域,涉及一种限流二极管。本发明提出了一种新型限流二极管,运用薄势垒AlGaN/GaN异质结上生长电荷恢复层调制二维电子气的技术,在实现器件增强型,具有较低开启电压,较大反向耐压的前提下,该结构的优势在于电荷恢复层刻蚀所用的氟基气体对于电荷恢复层下方的势垒层几乎不会造成任何刻蚀效果,最终可以实现自终止在AlGaN界面处以实现对势垒层精确控制的目的。该发明避免对AlGaN层的刻蚀,不会对AlGaN层造成破坏,所以器件具有较大的电流密度,较高的电子迁移率和较低的导通电阻。

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