一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110205653.3
IPC分类号：G06F30/20;G01D21/02;G06F119/08
申请日期：
2021-02-24
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法
申请号	CN202110205653.3	申请日期	2021-02-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-04	公开/公告号	CN112906226A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/20	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;2;0;;;G;0;1;D;2;1;/;0;2;;;G;0;6;F;1;1;9;/;0;8查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	程奎;罗卫军;张荣华;韦春;夏志颖;闫伟;来龙坤;蒋鑫;陈晓娟
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	刘猛

摘要

本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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