切割模片接合膜以及半导体器件的生产方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910224839.2
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/68;H01L21/304;B28D5/00;C09J133/08;B32B7/12
申请日期：
2009-11-26
申请人：
日东电工株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	切割模片接合膜以及半导体器件的生产方法
申请号	CN200910224839.2	申请日期	2009-11-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-16	公开/公告号	CN101740351A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;B;2;8;D;5;/;0;0;;;C;0;9;J;1;3;3;/;0;8;;;B;3;2;B;7;/;1;2查看分类表>
申请人	日东电工株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日东电工株式会社	当前权利人	日东电工株式会社
发明人	神谷克彦;大竹宏尚;松村健;村田修平
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;李茂家

摘要

本发明涉及切割模片接合膜以及半导体器件的生产方法。本发明涉及切割模片接合膜，其包括：具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割膜，和设置于所述压敏粘合剂层上的模片接合膜。所述切割膜的压敏粘合剂层为由包含丙烯酸类聚合物A和发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂形成的热膨胀性压敏粘合剂层。所述丙烯酸类聚合物A是由单体组合物构成的丙烯酸类聚合物，所述单体组合物包括50重量％以上的由CH2＝CHCOOR(其中R为具有6至10个碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯，和1重量％至30重量％的含羟基单体，且不包括含羧基单体。所述热膨胀性压敏粘合剂层具有30mJ/m2以下的表面自由能。所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供