加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

高纯度三甲硅烷基胺、制备方法和用途

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201680080583.0
  • IPC分类号:C07F7/10;C07F7/20
  • 申请日期:
    2016-12-16
  • 申请人:
    美国陶氏有机硅公司
著录项信息
专利名称高纯度三甲硅烷基胺、制备方法和用途
申请号CN201680080583.0申请日期2016-12-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-09-28公开/公告号CN108602840A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07F7/10IPC分类号C;0;7;F;7;/;1;0;;;C;0;7;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人美国陶氏有机硅公司申请人地址
安徽省滁州市全椒县十字镇十谭产业园新城大道117号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南大光电半导体材料有限公司,DDP特种电子材料美国第9有限公司当前权利人南大光电半导体材料有限公司,DDP特种电子材料美国第9有限公司
发明人B·M·凯托拉;J·A·马多克;B·D·瑞肯;M·D·泰尔根霍夫;X·周
代理机构北京市金杜律师事务所代理人吴亦华
摘要
本发明公开了一种组合物,其包含:三甲硅烷基胺和小于5ppmw的卤素。本发明还公开了一种制备甲硅烷基胺的方法,该方法包括使氨和包含氨基硅烷官能团的化合物在足以引起反应的条件下混合以形成甲硅烷基胺和副产物,其中所述包含氨基硅烷官能团的化合物根据式(I)R1N(R2)a(SiH3)2‑a(I),其中R1为有机聚合物、C1‑20烃基基团或‑SiR331,其中R3为C1‑6烃基,R2为C1‑20烃基基团、H、或‑SiR331,其中R3如上定义,下标a为0或1,前提条件是除R1为苯基,R2不为苯基之外,R1和R2可相同或不同。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供