半导体装置和其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201680055591.X
IPC分类号：H01L23/29;H01L21/56;H01L23/12;H01L23/28;H01L23/36
申请日期：
2016-09-20
申请人：
三菱电机株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置和其制造方法
申请号	CN201680055591.X	申请日期	2016-09-20
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-06-08	公开/公告号	CN108140621A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/29 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/29 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	山本圭;六分一穗隆;中岛泰;北井清文;五藤洋一
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	何立波;张天舒

摘要

得到一种半导体装置，该半导体装置通过减少由传递模塑成型时的压力引起的金属基座的变形，从而抑制在绝缘层产生裂纹，电可靠性高。具有：金属部件(2)，其在下表面设置有凹凸部(8)和凸状的周缘部(7)，该凸状的周缘部(7)将凹凸部(8)包围，且高度比凹凸部(8)的凸部(81)高或者与该凸部(81)相同；绝缘层(3)，其形成于金属部件(2)的上表面；金属层(4)，其形成于绝缘层(3)的上表面；半导体元件(1)，其与金属层(4)的上表面接合；以及封装树脂(5)，其对半导体元件(1)、金属层(4)、绝缘层(39)和金属部件(2)进行封装。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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