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使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710196586.3
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2004-06-21
  • 申请人:
    LG伊诺特有限公司
著录项信息
专利名称使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法
申请号CN200710196586.3申请日期2004-06-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-05-14公开/公告号CN101179106
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人LG伊诺特有限公司申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人LG伊诺特有限公司当前权利人LG伊诺特有限公司
发明人李昔宪
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人顾晋伟;王春伟
摘要
本发明提供一种基于氮化物的3-5族化合物半导体发光器件,其包含:第一GaN型层;所述第一GaN型上的有源层;和所述有源层上的第二GaN型层,其中所述第一GaN型层或所述第二GaN型层包含至少一个InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构。本发明能够减少基于氮化物的3-5族化合物半导体发光器件的晶体缺陷,提高GaN、GaN基单晶层的结晶性,以改善发光器件的性能,确保其可靠性。

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