低k介电材料的失效分析方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910056016.3
IPC分类号：G01N23/04;G01N1/28
申请日期：
2009-08-06
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

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著录项信息

专利名称	低k介电材料的失效分析方法
申请号	CN200910056016.3	申请日期	2009-08-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-03-23	公开/公告号	CN101988909A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N23/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N23/00 利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如X射线、（或中子，未包括在G01N3/00至G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00）〔1，2006.01〕 G01N23/02 通过使辐射透过材料 G01N23/04 并形成材料的图片〔1，2006.01，2018.01〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;3;/;0;4;;;G;0;1;N;1;/;2;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人	杨卫明;芮志贤;段淑卿;王玉科;郭强
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李丽

摘要

一种低k介电材料的失效分析方法，包括：对低k介电材料采用聚焦离子束定点切削与辅助电子束扫描进行薄膜样品制备；对薄膜样品进行透射电镜成像；根据所述透射电镜成像得到的材料形貌，进行失效判定。本发明使用特定参数条件的聚焦离子束定点切削与辅助电子束扫描制备低k介电材料的薄膜样品，并通过透射电镜TEM成像获得样品形貌，根据样品形貌进行失效判定，因此本发明流程简单，经济有效易于实现，且判定准确直观。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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