半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010147264.5
IPC分类号：H01L23/48;H01L23/535;H01L21/768
申请日期：
2020-03-05
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

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专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN202010147264.5	申请日期	2020-03-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-07	公开/公告号	CN113363226A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	金吉松
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	吴敏

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成鳍部和隔离层，刻蚀隔离层和部分厚度的衬底，形成电源轨开口；沿电源轨开口继续刻蚀部分厚度的所述衬底，形成通孔；在电源轨开口以及通孔内形成第一牺牲层；回刻蚀所述第一牺牲层，至所述第一牺牲层的高度占所述通孔高度的20％～80％；在电源轨开口以及通孔内形成第一金属层；减薄衬底背面，直至第一牺牲层从衬底背面露出；去除全部第一牺牲层，露出第一金属层的背部表面；在第一金属层背面形成第二金属层，第二金属层背部表面与衬底背部表面齐平。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，在形成背部配电的同时，还可以实现高深宽比通孔的填充，从而提高半导体结构的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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