一种基于多层阳极氧化铝模板的大面积纳米图形化方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201511033940.1
IPC分类号：B82B3/00;B82B1/00;B82Y40/00
申请日期：
2015-12-31
申请人：
中山大学

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著录项信息

专利名称	一种基于多层阳极氧化铝模板的大面积纳米图形化方法
申请号	CN201511033940.1	申请日期	2015-12-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-01	公开/公告号	CN105621353A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B82B3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B82 纳米技术〔7〕 B82B 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理〔7〕 B82B3/00 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子集合的纳米结构的制造或处理〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;2;B;3;/;0;0;;;B;8;2;B;1;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中山大学	申请人地址	广东省广州市海珠区新港西路135号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学	当前权利人	中山大学
发明人	祝渊;赵呈春;桂许春;汤子康;苏宇泉;陈安琪
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	陈卫

摘要

本发明公开了一种基于多层阳极氧化铝模板的大面积纳米图形化方法，是首先将多层双通AAO模板堆叠在一起，转移到目标衬底之上；再向覆盖了多层AAO模板的衬底表面蒸镀制备纳米结构所需的材料；然后除去多层AAO模板，即得到图案化的纳米结构阵列。本发明的方法可通过对不同类型的双通AAO模板的选择，通过控制上下层AAO的结构、相对位置、上下层AAO多孔膜的孔/壁尺寸、相对位移、相对旋转角度，或者通过调整多层双通AAO模板堆叠的方式，从而获得不同的大面积（平方厘米级）的结构非常丰富的具有纳米级尺寸的复杂图案的纳米结构。而且本方法制备条件简单、成本低，不需要复杂的设备，易于操作，适用于规模化产业应用。

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