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磁头及磁头制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610172286.7
  • IPC分类号:G11B5/127;G11B5/17;G11B5/60;G11B21/21
  • 申请日期:
    2006-12-30
  • 申请人:
    富士通株式会社
著录项信息
专利名称磁头及磁头制造方法
申请号CN200610172286.7申请日期2006-12-30
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2007-12-05公开/公告号CN101083080
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11B5/127IPC分类号G;1;1;B;5;/;1;2;7;;;G;1;1;B;5;/;1;7;;;G;1;1;B;5;/;6;0;;;G;1;1;B;2;1;/;2;1查看分类表>
申请人富士通株式会社申请人地址
日本神奈川县川崎市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士通株式会社当前权利人富士通株式会社
发明人大松英晃;伊藤隆司
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人黄纶伟;迟军
摘要
本发明公开了磁头及磁头制造方法。本发明提供了一种磁头,其中,将加热器可靠地并入所述磁头中,并可以使用由来自所述加热器的热量所导致的热膨胀来可靠地控制所述磁头在介质表面上方的飞行高度。本发明还提供了一种所述磁头的制造方法。作为制造所述加热器的步骤,所述制造方法包括以下步骤:在基板的表面上形成二氧化硅层;在所述二氧化硅层的表面上依次形成钽层、加热层和另一钽层作为加热器形成层;根据所述加热器的平面图案对光刻胶进行构图以覆盖所述加热器形成层的表面;通过以所述光刻胶为掩模在所述加热器形成层上执行离子铣削来按一图案形成所述加热器;在所述加热器的表面覆盖有所述光刻胶的状态下溅射二氧化硅层,使该二氧化硅层的厚度大于所述加热器的厚度;以及通过剥离将所述光刻胶连同覆盖所述光刻胶的外表面的二氧化硅层一起从所述加热器的表面去除。

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