光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件

发明专利无效专利

申请号：
CN99102941.0
IPC分类号：H01L31/02;H01L31/04;H01L31/075;H01L21/205
申请日期：
1999-02-15
申请人：
佳能株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件
申请号	CN99102941.0	申请日期	1999-02-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-09-15	公开/公告号	CN1228617
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人	佳能株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佳能株式会社	当前权利人	佳能株式会社
发明人	狩谷俊光
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，其中：硅晶粒为柱状，用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下，归于Si-H键的氢含量C1原子数%、和归于Si-H2键的氢含量C2原子数%有C1/C2≥0.8且3≤C1+C2≤8原子数%的关系，晶粒的较长方向与基片表面法线方向形成的角度不大于8°，从光电导薄膜的X光衍射峰中的硅(220)峰计算得到的硅晶粒平均粒径为20nm到200nm，所述光电导薄膜含非晶硅，硅晶粒与整个薄膜的体积比R≥0.5。该薄膜作为光电导薄膜，没有光退化，有很好的光电导率，提供的光生伏打器件有很好的温度特性和长期稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供