一种铁基化合物超导薄膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610186647.7
IPC分类号：C23C14/28;C23C14/06
申请日期：
2016-03-29
申请人：
中国科学院电工研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种铁基化合物超导薄膜的制备方法
申请号	CN201610186647.7	申请日期	2016-03-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-08-10	公开/公告号	CN105839056A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/28 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕 C23C14/28 波能法或粒子辐射法（C23C 14/32至C23C 14/48优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人	中国科学院电工研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北二条6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院电工研究所	当前权利人	中国科学院电工研究所
发明人	徐中堂;马衍伟;原蒲升
代理机构	北京科迪生专利代理有限责任公司	代理人	关玲

摘要

一种铁基化合物超导薄膜的制备方法。把铁基超导化合物靶材放入脉冲激光外延沉积系统中，在真空度低于9×10‑5Pa的环境下，以脉冲激光熔融铁基超导化合物靶材，并在加热的金属基带上沉积成膜。沉积过程中靶材和金属基带保持有距离；靶材和金属基带两者均保持自转。沉积完成后，降温至环境温度，形成铁基化合物超导薄膜。所述的金属基带为IBAD或RABiTS；金属基带的加热温度为350℃～950℃，沉积时间为50～200分钟，真空度低于9×10‑5Pa，激光能量密度为每脉冲100mJ～350mJ，靶材与金属基带之间的距离为3.5cm～5.5cm。所述的铁基超导化合物靶材为FeSe1‑xTex，0.1

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供