有源矩阵基板、电光学装置及有源矩阵基板制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00106520.3
IPC分类号：--
申请日期：
2000-03-10
申请人：
精工爱普生株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	有源矩阵基板、电光学装置及有源矩阵基板制造方法
申请号	CN00106520.3	申请日期	2000-03-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-10-11	公开/公告号	CN1269520
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	匈牙利布达佩斯1163、XVI奇拉克24-32A1ep1em122 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市华星光电技术有限公司,殷特勒高科技有限公司	当前权利人	深圳市华星光电技术有限公司,殷特勒高科技有限公司
发明人	竹中敏
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	姜郛厚;叶恺东

摘要

提供能容易且准确地检查MIS晶体管的膜质的有源矩阵基板、使用它的电光学装置以及有源矩阵基板的制造方法。在有源矩阵基板上的未形成图象显示区、扫描线驱动电路、数据线驱动电路、信号布线等的部分上形成1mm矩形的膜质检查区80。在该膜质检查区80，形成与TFT 50的高浓度源·漏区同层而且用相同浓度导入了相同杂质的膜质检查用半导体膜1c(硅膜)，由于该膜质检查用半导体膜1c从层间绝缘膜4、71、72的开口部8c露出，所以能立即进行膜质分析。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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