一种阵列基板过孔的制作方法及阵列基板制作工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN201210226872.0
IPC分类号：H01L21/77;H01L21/768;G03F7/20
申请日期：
2012-06-29
申请人：
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司

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专利名称	一种阵列基板过孔的制作方法及阵列基板制作工艺
申请号	CN201210226872.0	申请日期	2012-06-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-24	公开/公告号	CN102751241A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司
发明人	封宾;白金超
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	黄志华

摘要

本发明公开了一种阵列基板过孔的制作方法，包括步骤预刻蚀，分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀，使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同；刻蚀，对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀，直至各个过孔连接到其金属层。本发明提供的阵列基板过孔的制作方法中各个刻蚀深度不同的区域进行分步刻蚀，步骤预刻蚀之后，各个过孔的刻蚀深度余量相同，然后经过步骤刻蚀对所有过孔进行同步刻蚀，使各个过孔同时连接到其金属层，降低刻蚀深度较浅的过孔处产生的过刻不良现象，提高产品良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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