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高精度电阻的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010164850.7
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2010-04-29
  • 申请人:
    上海宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称高精度电阻的制造方法
申请号CN201010164850.7申请日期2010-04-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2010-09-01公开/公告号CN101819924A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人上海宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人陈乐乐
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
本发明提供高精度电阻的制造方法,包括步骤:提供基底,所述基底包括多个第一金属插塞和所述第一金属插塞间的第一金属间电介质;在所述基底上形成第一金属层,并刻蚀所述第一金属层以形成多个第一金属导线,所述第一金属导线分别连接所述第一金属插塞;沉积第一氧化硅层;在所述第一氧化硅层上形成氮化钛(TiN)层,并对所述氮化钛层进行光刻刻蚀工艺,形成高精度电阻;沉积第二金属间电介质层,并对所述第二金属间电介质层进行化学机械研磨。所述制造方法能制造10ohm/sq到50ohm/sq的电阻,精度范围在+/-10%之内,并且和标准的CMOS工艺完全兼容。

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