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低温烧结高导热氮化硅陶瓷粉体、陶瓷制备方法及应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110588127.X
  • IPC分类号:C04B35/584;C04B35/65
  • 申请日期:
    2021-05-27
  • 申请人:
    深圳市精而美精密陶瓷科技有限公司;周涛
著录项信息
专利名称低温烧结高导热氮化硅陶瓷粉体、陶瓷制备方法及应用
申请号CN202110588127.X申请日期2021-05-27
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-08-06公开/公告号CN113213946A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/584IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;4;;;C;0;4;B;3;5;/;6;5查看分类表>
申请人深圳市精而美精密陶瓷科技有限公司;周涛申请人地址
广东省深圳市宝安区松岗街道碧头社区三工业大道3号精而美厂B栋101 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市精而美精密陶瓷科技有限公司,周涛当前权利人深圳市精而美精密陶瓷科技有限公司,周涛
发明人周涛;雒文博;温兵;赵立宏
代理机构重庆千石专利代理事务所(普通合伙)代理人黄莉
摘要
本发明提供一种低温烧结高导热氮化硅陶瓷粉体、陶瓷制备方法及其应用,该陶瓷粉体包括氮化硅陶瓷和镁硅合金组合物,其中氮化硅陶瓷的质量百分比为85%<氮化硅陶瓷<100%,镁硅合金组合物的质量百分比为0%<镁硅合金组合物<15%。采用镁硅合金组合物取代传统的氧化镁等氧化物烧结助剂,利用了镁硅合金低熔点特性,在较低的烧结温度下实现了液相烧结。利用金属镁的高活性,镁与氮化硅表面的氧化硅反应,夺去氧,露出新鲜的氮化硅表面参与烧结,提升烧结活性。通过在氮气气氛烧结,多余的镁硅烧结助剂会与氮气反应形成氮化硅、镁硅氮等物质非氧化物质,降低晶界处的氧化物杂质含量,有效提升氮化硅陶瓷的热导传热性能。

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