具有保护性安全涂层的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03806563.0
IPC分类号：H01L23/28;H01L23/58
申请日期：
2003-03-20
申请人：
皇家飞利浦电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有保护性安全涂层的半导体器件及其制造方法
申请号	CN03806563.0	申请日期	2003-03-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-07-20	公开/公告号	CN1643681
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;8查看分类表>
申请人	皇家飞利浦电子股份有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	NXP股份有限公司	当前权利人	NXP股份有限公司
发明人	R·A·M·沃特斯;P·E·德荣格;R·德克尔
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	王新华

摘要

半导体器件包括具有第一(1)和相对的第二侧(2)的衬底(10)，在第一侧有多个晶体管和互连，其由保护性安全覆盖物(16)覆盖，该器件还提供有接合焊盘区(14)。保护性安全覆盖物(16)包括基本上非透明且基本上化学惰性的安全涂层(16)，且接合焊盘区(14)可从衬底(10)的第二侧进入。半导体器件可以使用衬底转印技术适当地进行制备，其中在保护性安全覆盖物(16)处提供第二衬底(24)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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