一种导电金属相均匀分布的多相复合锰酸钙基氧化物热电材料的制备方法发明专利
申请号：CN201710682077.5
LOC分类号:H01L35/22
IPC结构图谱：
- H电学
- H9电学
- H01基本电气元件
- H01L半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕
- H01L21/00专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕
- H01L21/02半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕
- H01L21/04至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕
- H01L21/18器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕
- H01L21/328制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕
- H01L21/329包括1个或两个电极的器件，例如二极管〔5〕
