一种多端口寄存器堆存储单元及其布局布线方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110261855.6
IPC分类号：G11C7/18;G11C7/00
申请日期：
2011-09-06
申请人：
复旦大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种多端口寄存器堆存储单元及其布局布线方法
申请号	CN201110261855.6	申请日期	2011-09-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-21	公开/公告号	CN102385908A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/18 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/18 位线组织；位线布局〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;1;8;;;G;1;1;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市杨浦区邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	虞志益;张星星;李毅;熊保玉;韩军;张跃军;张章;程旭;曾晓洋
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;盛志范

摘要

本发明属于集成电路存储单元设计技术领域，具体为一种多端口寄存器堆存储单元及其布局布线方法。耦合的反相器采用六管结构，读位线和耦合的反相器之间采用NMOS管隔离，以防止读破坏。内部连线和VSS采用金属层1（M1），有效的减小了布线层数。通过写字线使用金属层2（M2），读字线使用金属层4（M4）布线，可以有效减少字线之间的耦合电容，并且减弱了由于字线数目增多造成的单元面积增大。VDD采用M2进行水平方向布线，位线使用金属层3（M3）进行垂直方向布线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供