半导体装置结构和其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110184824.9
IPC分类号：H01L23/488;H01L21/48
申请日期：
2021-02-10
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体装置结构和其形成方法
申请号	CN202110184824.9	申请日期	2021-02-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-31	公开/公告号	CN113327905A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈信吉;黄薰瑩;李智铭;吴尚彦;杨智安;何弘伟;张朝钦;黄琮伟
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国

摘要

一种半导体装置结构和其形成方法，其结构包括有一或多个装置形成于其上的基板、设置在基板上的一或多个接合垫，及设置在一或多个接合垫上的第一钝化层。第一钝化层包括具有第一介电材料的第一钝化子层、设置在第一钝化子层上的第二钝化子层，并且第二钝化子层具有不同于第一介电材料的第二介电材料。第一钝化层进一步包括设置在第二钝化子层上的第三钝化子层，并且第三钝化子层具有不同于第二介电材料的第三介电材料。第一、第二及第三钝化子层中的至少两者各自包括氮化物。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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