SOI基片的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN96123929.8
IPC分类号：--
申请日期：
1996-12-30
申请人：
现代电子产业株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	SOI基片的制造方法
申请号	CN96123929.8	申请日期	1996-12-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1998-04-29	公开/公告号	CN1180238
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	现代电子产业株式会社	申请人地址	韩国忠清北道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美格纳半导体有限公司	当前权利人	美格纳半导体有限公司
发明人	金载甲
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	杨梧

摘要

本发明提供一种SOI基片的制造方法，可使SOI基片具有平坦的表面，并能同时形成元件分隔膜和埋置绝缘层。该方法包括下列步骤：在硅晶片的元件分隔区形成损耗膜，以露出所述硅晶片的有源区；向所述硅晶片内注入氧离子，形成硅晶片内的离子注入区；对硅晶片退火，于是形成埋置绝缘层，该埋置绝缘层使有源区的硅层与所述硅晶片隔离，并形成与所述硅层具有同一平面的埋置绝缘层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供