一种用于太赫兹检测的微纳测辐射热计的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201910287770.1
IPC分类号：G01J5/10;H01L31/18
申请日期：
2019-04-11
申请人：
南京大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种用于太赫兹检测的微纳测辐射热计的制备方法
申请号	CN201910287770.1	申请日期	2019-04-11
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-12	公开/公告号	CN110006534A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J5/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J5/00 辐射高温测定法 G01J5/10 用电辐射检测器	IPC分类号	G;0;1;J;5;/;1;0;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	南京大学	申请人地址	江苏省南京市鼓楼区汉口路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京大学	当前权利人	南京大学
发明人	贾小氢;翟世民;涂学凑;康琳;陈健;吴培亨
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨林洁

摘要

本发明公开了一种用于太赫兹检测的微纳测辐射热计的制备方法，包括如下步骤：使用高纯铌靶溅射Nb5N6薄膜；在所述Nb5N6薄膜上通过深紫外曝光的方式绘制天线图形，磁控生长Au薄膜；通过电子束曝光的方式绘制微桥和电极的图形，通过反应离子刻蚀的方式刻蚀出Nb5N6薄膜微桥，再剥离出电极；通过紫外光刻的方式形成窗口，通过反应离子刻蚀方式刻蚀掉窗口中的部分SiO2和Si，形成空气腔。本发明通过减小器件微桥的尺寸来降低器件的热容和热导，提高器件灵敏度的同时还可以提高器件速度，且适用于大规模阵列器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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